Réacteurs PECVD

Nous développons, depuis des années, plusieurs approches de fabrication de couches minces et de revêtements. Les caractéristiques principales des systèmes PECVD sont comme suit :

 

Plasma micro-onde (2.45 GHz)
Applicateurs différent: guide en fente de fuite, structure d'onde lente, antenne symétrique.

Plasma radiofréquenciel  (13.56 MHz) : couplage capacitif, contrôle du bombardement ionique sur le porte-subsrat.

 

Plasma à fréquence mixte MW/RF ("dual-mode microwave/radio frequency plasma"): permet le contrôle sélectif de l'énergie et du flux d'ions.

 

Gaz utilisés :   Ar, CH4, H2HMDSO, O2, N2 NH3 SiCl4, SiH4, TiCl4, etc.

 

Système de pompage : pompes primaires et turbomoléculaires, protection chimique.

 

Portes-échantillons : diamètres 10-20 cm, température de –20 °C à 600 °C, polarisation DC négative induite par RF (bias) - jusqu’à 1kV.

 

Contrôle rétroactif  par ordinateur: interférométrie laser, refléctométrie,  éllipsométrie  spectroscopique in situ en temps réel, émission optique, etc.

 

Matériaux étudiés: a-Si :HDLC, nano-composites (nc) Au/SiO2, nc-TiN/SiN1.3, nc-TiCxNy/SiCN, Si3N4SiO2, SiOxNy, SixTiyO2, TiO2, etc.

 

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